2% Ti টার্গেট সহ 4N HfO2 ডোপডের বর্ণনা
2% Ti টার্গেট সহ HfO2 ডোপড একটি কার্যকরী উপাদানের পূর্বসূর যা সুনির্দিষ্ট, পারমাণবিক-স্তরের ডোপিং কৌশলগুলির মাধ্যমে প্রস্তুত করা হয়েছে। এর মূল অংশে, এই উপাদানটি 2% এর মোলার অনুপাতে একটি হাফনিয়াম ডাই অক্সাইড ম্যাট্রিক্সে টাইটানিয়ামের প্রবর্তন জড়িত, একটি কঠিন দ্রবণ তৈরি করে যাতে টিআই⁴⁺ আয়নগুলি HfO₂ স্ফটিক জালিতে Hf⁴⁺ আয়নগুলির আংশিকভাবে প্রতিস্থাপন করে। এই ডোপিং প্রক্রিয়াটি কেবল একটি সাধারণ শারীরিক মিশ্রণ নয়; বরং, এটি উপাদানটির মাইক্রোস্ট্রাকচার এবং ইলেকট্রনিক বৈশিষ্ট্যগুলিকে সক্রিয়ভাবে সংশোধন করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, যার ফলে এটিকে নির্দিষ্ট কার্যকারিতা প্রদান করে যা বিশুদ্ধ HfO₂কে ছাড়িয়ে যায়। স্পুটারিং টার্গেটের শারীরিক ফর্ম উন্নত পাতলা ফিল্ম ফ্যাব্রিকেশন প্রযুক্তিতে এর প্রয়োগের জন্য গুরুত্বপূর্ণ বাহন হিসেবে কাজ করে। এই ধরনের লক্ষ্যগুলি অবশ্যই উচ্চ বিশুদ্ধতা (সাধারণত 99.99% বা উচ্চতর), উচ্চ ঘনত্ব এবং রচনাগত অভিন্নতার জন্য কঠোর মান মেনে চলতে হবে। উচ্চ বিশুদ্ধতা অনিয়ন্ত্রিত অমেধ্য রোধ করার জন্য প্রয়োজনীয় পাতলা ফিল্মের কর্মক্ষমতার সাথে আপস করা থেকে; বিপরীতভাবে, উচ্চ ঘনত্ব এবং অভিন্নতা ফিল্মের কম্পোজিশনের স্থায়িত্ব নিশ্চিত করে এবং স্পুটারিং প্রক্রিয়ার সময় এটির জমার হার উভয়ই নিশ্চিত করে, যার ফলে পাতলা ফিল্মটি লক্ষ্যবস্তুর নকশাকৃত বৈশিষ্ট্যগুলিকে সুনির্দিষ্টভাবে "উত্তরাধিকার" পেতে সক্ষম করে।
2% Ti টার্গেট সহ 4N HfO2 ডোপডের অ্যাপ্লিকেশন
উন্নত সেমিকন্ডাক্টর মেমরি: বিশেষ করে ফেরোইলেকট্রিক র্যান্ডম-অ্যাক্সেস মেমরি (FeRAM) ক্ষেত্রে। টাইটানিয়াম ডোপিং HfO₂ এর ফেরোইলেকট্রিক অর্থরহম্বিক ফেজকে স্থিতিশীল করতে সাহায্য করে, এটিকে চমৎকার ফেরোইলেকট্রিক সুইচিং বৈশিষ্ট্যের সাথে সমৃদ্ধ করে যা উচ্চ-ঘনত্ব, কম-শক্তির মেমরি ডিভাইসগুলির জন্য প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে।
উচ্চ-ডাইলেকট্রিক-ধ্রুবক (উচ্চ-κ) গেট ডাইলেকট্রিক্স: ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটে, এটি ট্রানজিস্টর গেটের জন্য অস্তরক স্তর হিসাবে কাজ করে; এর উচ্চ অস্তরক ধ্রুবক ব্যবহার করে, এটি কার্যকরভাবে শারীরিক বেধ হ্রাস করে যখন চমৎকার নিরোধক কর্মক্ষমতা এবং নির্ভরযোগ্যতা বজায় রাখে।
কার্যকরী আবরণ এবং অপটিক্যাল পাতলা ছায়াছবি: এর উচ্চ প্রতিসরণ সূচক, চমৎকার রাসায়নিক স্থিতিশীলতা এবং অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্যগুলিকে পুঁজি করে-যা ডোপিংয়ের মাধ্যমে সুর করা যায়-এটি বিশেষ অপটিক্যাল আবরণ বা প্রতিরক্ষামূলক স্তরগুলিতে ব্যবহার করা হয়।
2% Ti টার্গেট সহ 4N HfO2 ডোপডের স্পেসিফিকেশন
আকার: 50.8 মিমি ডায়া। *3মিমি টাকা
বন্ধনের প্রকার: ইন
ব্যাকপ্লেট: Cu
ব্যাকপ্লেটের আকার: 50.8 মিমি ডায়া *3 মিমি টাকা
2% Ti টার্গেট সহ 4N HfO2 ডোপড এর গুণমান নিয়ন্ত্রণ এবং পরীক্ষা
2% Ti টার্গেট সহ 4N HfO2 ডোপডের জন্য প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্ন৷
আপনি a কারখানা বা aপ্রস্তুতকারক?
উত্তর: হ্যাঁ, আমরা 2% Ti টার্গেট কারখানা সহ একটি 4N HfO2 ডোপড, কিন্তু আমরা সাধারণত বিদেশে ব্যবসা পরিচালনা করতে আমাদের ট্রেডিং কোম্পানি ব্যবহার করি। রেমিট্যান্স গ্রহণ এবং চালানের ব্যবস্থা করা আরও সুবিধাজনক হবে।
বিতরণ পদ্ধতি কি?
উত্তর: সাধারণত, আমরা UPS, DHL, বা FedEx দ্বারা 2% Ti টার্গেট সহ 4N HfO2 ডোপড পাঠাই। এছাড়াও, আমরা সমুদ্রপথে একটি সমুদ্রবন্দরে বা আকাশপথে নিকটতম বিমানবন্দরে পাঠাতে পারি।
কেন আপনার 4N HfO2 ডোপড 2% Ti টার্গেট এত খরচ-কার্যকর?
উত্তর: উৎপাদন প্রক্রিয়া শেষ করতে--আমরা মধ্যস্বত্বভোগীদের কেটে ফেলি, এবং আমরা সরাসরি এর উৎস থেকে কাঁচামাল পাই।
আপনি কি স্পট মান পরিদর্শন নাপণ্য?
উত্তর: নিশ্চিতভাবে 100% সম্পূর্ণ পরিদর্শন। সমস্ত অযোগ্য 4N HfO2 ডোপড 2% Ti টার্গেটের সাথে বাতিল করা হয়।
আপনি কিভাবে আপনার সীসা সময় নিশ্চিত করবেন?
উত্তর: উপাদান প্রস্তুতি থেকে মেশিনিং এবং অবশেষে একটি সম্পূর্ণ পরিদর্শন পর্যন্ত। উত্পাদনের প্রতিটি পর্যায়ে কঠোরভাবে নিরীক্ষণ করা হয় এবং আপনাকে একটি সঠিক ডেলিভারি সময় দিতে নিয়ন্ত্রিত হয়।
2% Ti টার্গেট সহ 4N HfO2 ডোপডের MOQ কী?
A: 2% Ti টার্গেট সহ 4N HfO2 ডোপডের পরিমাণের উপর নির্ভর করে; সাধারণত, কোন MOQ সীমা নেই।
কিভাবে জন্য অর্থ প্রদানপণ্য?
উত্তর: একটি ব্যাংক স্থানান্তর (টি/টি) গ্রহণযোগ্য হবে।
প্রসবের সময় কি?
উত্তর: প্রায় 7-20 দিন, যা 2% Ti টার্গেট সহ 4N HfO2 ডোপডের পরিমাণ এবং উৎপাদনের উপর নির্ভর করে।
এটা কি ধরনের প্যাকেজ?
উত্তর: সাধারণত, আমরা 2% Ti টার্গেট সহ 4N HfO2 ডোপডের নিরাপত্তা নিশ্চিত করতে ভিতরে প্রতিরক্ষামূলক উপাদান সহ একটি শক্ত কাগজের কেস বা প্লাইউড কেস ব্যবহার করি।
লিড টাইম কি?
উত্তর: অর্ডার দেওয়া থেকে কার্গো প্রাপ্তিতে প্রায় 10-25 দিন সময় লাগবে।
গরম ট্যাগ: 2% ti টার্গেট সহ 4n hfo2 ডোপড, চায়না 4n hfo2 ডোপড 2% ti টার্গেট সরবরাহকারী, কারখানা
